ইনট্রিনসিক গেটারিং বলতে সিলিকন ওয়েফার থেকে অতিস্যাচুরেটেড অক্সিজেন নিঃসৃত করে তৈরি করা অশুদ্ধতা আটকে ফেলার সাইটগুলিকে জড়িত করে। সুপারস্যাচুরেটেড অক্সিজেনের বর্ষণ ক্লাস্টার তৈরি করে যা ক্রমাগত বৃদ্ধি পায়, এটি ঘটলে ওয়েফারের উপর চাপ সৃষ্টি করে।
সিলিকন পাওয়া কি?
গেটারিংকে একটি প্রক্রিয়া হিসাবে সংজ্ঞায়িত করা হয় যার মাধ্যমে ডিভাইস অঞ্চলে ধাতব অমেধ্যগুলিকে সিলিকন ওয়েফারের পূর্ব-নির্ধারিত, নিষ্ক্রিয় অঞ্চলে স্থানীয়করণের মাধ্যমে হ্রাস করা হয়।
বহির্ভূত গেটারিং কি?
Extrinsic gettering বলতে বোঝায় gettering যা সিলিকন জালের ক্ষতি বা স্ট্রেস তৈরি করতে বাহ্যিক উপায়গুলি ব্যবহার করে এমনভাবে যাতে অমেধ্য আটকানোর জন্য প্রয়োজনীয় বর্ধিত ত্রুটিগুলি তৈরি হয়। এই রাসায়নিকভাবে সংবেদনশীল ট্র্যাপিং সাইটগুলি সাধারণত ওয়েফারের পিছনের দিকে পাওয়া যায়৷
আভ্যন্তরীণ এবং বহির্মুখী প্রাপ্তির মধ্যে পার্থক্য কী?
Extrinsic Gettering: এটি এমন গেটারিংকে বোঝায় যা সিলিকন জালিতে এমনভাবে ক্ষতি বা চাপ তৈরি করতে বাহ্যিক উপায় ব্যবহার করে যাতে অমেধ্য আটকানোর জন্য প্রয়োজনীয় বর্ধিত ত্রুটিগুলি তৈরি হয়। … অভ্যন্তরীণ গেটারিং: এটি এমন গেটারিংকে বোঝায় যা অক্সিজেন ব্যবহার করে যা ইতিমধ্যেই ক্রিস্টালে উপস্থিত রয়েছে।
সিজেড পদ্ধতিতে এটি কীভাবে উপযোগী?
Czochralski পদ্ধতি, এছাড়াও Czochralski কৌশল বা Czochralski প্রক্রিয়া, স্ফটিক বৃদ্ধির একটি পদ্ধতি যা ব্যবহৃত হয়সেমিকন্ডাক্টরগুলির একক স্ফটিক (যেমন সিলিকন, জার্মেনিয়াম এবং গ্যালিয়াম আর্সেনাইড), ধাতু (যেমন প্যালাডিয়াম, প্ল্যাটিনাম, রৌপ্য, সোনা), লবণ এবং কৃত্রিম রত্নপাথর পান।
